CGO-4高低溫真空探針臺(tái)測(cè)試系統(tǒng) 

77K-675K(液氮)；

超高溫度分辨率；

低溫具有*穩(wěn)定性

特點(diǎn)/應(yīng)用

2至6英寸樣品臺(tái)

高真空腔體

防輻射屏設(shè)計(jì)，樣品溫度均勻性更好

77K-675K高低溫環(huán)境

兼容IV/CV/RF測(cè)試

外置多探針臂，移動(dòng)行程大

經(jīng)濟(jì)實(shí)用，可無縫升級(jí)

CGO-4高低溫真空探針臺(tái)測(cè)試系統(tǒng) 

極低溫測(cè)試:

因?yàn)榫A在低溫大氣環(huán)境測(cè)試時(shí)，空氣中的水汽會(huì)凝結(jié)在晶圓上，會(huì)導(dǎo)致漏電過大或者探針無法接觸電極而使測(cè)試失敗。避免這些需要把真空腔內(nèi)的水汽在測(cè)試前用泵抽走，并且保持整個(gè)測(cè)試過程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。

高溫?zé)o氧化測(cè)試：

當(dāng)晶圓加熱至300℃,400℃,500℃甚至更高溫度時(shí)，氧化現(xiàn)象會(huì)越來越明顯，并且溫度越高氧化越嚴(yán)重。過度氧化會(huì)導(dǎo)致晶圓電性誤差，物理和機(jī)械形變。避免這些需要把真空腔內(nèi)的氧氣在測(cè)試前用泵抽走，并且保持整個(gè)測(cè)試過程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。

    晶圓測(cè)試過程中溫度在低溫和高溫中變換，因?yàn)闊崦浝淇s現(xiàn)象，定位好的探針與器件電極間會(huì)有相對(duì)位移，這時(shí)需要針座的重新定位，針座位于腔體外部。我們也可以選擇使用操作桿控制的自動(dòng)化針座來調(diào)整探針的位置。

腔體規(guī)格：

◆ 光學(xué)系統(tǒng)：

◆ 探針臂：